OHM⁺ GT-S MEB
高效多站點射頻前端模組測試解決方案

顛覆傳統的射頻測試架構：以最簡儀器配置，釋放極致 ATE 測試效能與彈性

隨著 5G 進階網路（5G Advanced）的全面商用化，以及 Wi-Fi 7 (802.11be) 技術的爆發性成長，市場對射頻前端模組 (FEM) 的需求無論在數量或規格上皆呈現指數級別的攀升，這些高頻寬技術要求射頻元件必須在更寬廣的頻譜上運行，同時支援如 1024 QAM 甚至 4096 QAM 等極度複雜的高階調變格式；對於負責量產與品質把關的資深測試工程師與自動化測試設備 (ATE) 架構師而言，這帶來了極為嚴峻的產業痛點：傳統的射頻測試架構往往需要堆疊大量且昂貴的離散式儀器設備，例如：多通道向量網路分析儀 (VNA) 與多組向量訊號收發機 (VSA/VSG)，才能勉強達成多站點或多埠的同步測試需求；這種「以量取勝」的傳統測試配置，不僅導致測試機台體積龐大、佈線複雜，更讓企業面臨鉅額的資本支出 (CAPEX) 壓力，且難以靈活應對未來更高頻段的測試挑戰。

GT-S Middle Electronic Box (MEB) 專為射頻前端模組 (FEM) 與Wi-Fi 7晶片設計，具備8埠同步測試、500MHz-14GHz寬頻與極致模組化設計，大幅提升ATE測試效率。

為徹底解決上述產業痛點，奧創系統推薦整合 Ohmplus OHM⁺ GT-S Middle Electronic Box (MEB) 訊號擴展模組，這是一款專為射頻前端模組晶片測試量身打造的高整合度訊號擴展模組，它直接呼應了現代高階射頻晶片在量產端「高產量、低測試成本、高精準度」的終極市場需求，透過前瞻性的架構革新，GT-S MEB 能夠協助工程師使用最少的基礎儀器設備配置，即可實現過去必須依賴多台高階儀器同測才能達到的驚人測試速度，從根本上顯著提升了 ATE 系統的整體測試效率與設備部署的彈性。

在核心技術層面，GT-S MEB 採用了創新的相控陣列電路 (Phased Array Circuit) 作為設計核心，它絕不僅僅是一個被動的訊號切換器，而是一個內建強大主動元件的高效能測試中樞，具備從 500 MHz 一路涵蓋至 14 GHz 的超寬頻測試能力，只需單一擴展模組就能完美向下相容既有的通訊標準，並向上無縫接軌未來 6G 早期研發與 Wi-Fi 7 頻段的嚴苛測試環境，它更具備高達 8 個射頻連接埠的強大擴充性，支援多埠同步測試，大幅消除測試瓶頸並有效提升產能，無論是進行基礎的 S 參數反射與穿透損失測試，還是搭配向量訊號收發機進行誤差向量幅度 (EVM) 的極致調變量測，GT-S MEB 都能以其模組化的介面與優異的硬體體質，為資深測試工程師提供一套完美平衡效能、成本與空間的最優解方案。

產品特點

超寬頻主動測試能力

系統內建主動元件，提供卓越的寬頻測試能力，支援從 500 MHz 到高達 14 GHz 的寬廣頻率範圍，涵蓋當前主流與未來前瞻的通訊頻段。

高速八埠同步測試

模組提供多達 8 個射頻連接埠的同步測試能力，專為多站點 (Multi-site) 平行測試所設計，可極大化地提升產線的整體產能與測試速度。

高度模組化與多功能量測

具備模組化設計，提供完整的射頻、數位與電源介面；不僅在 S-parameter 模式下支援每個埠的反射與穿透損失測試，更可無縫搭配向量訊號收發機 (VSA/VSG) 進行進階調變訊號分析與 EVM 量測。

專為 RF FEM 打造的高整合度設計

MEB 是一款專為射頻前端模組晶片測試設計的高整合度訊號擴展模組，完美契合半導體量產測試的嚴苛環境。

極致的儀器設備精簡化

透過突破性的設計，使用者能使用最少的儀器設備配置，實現多儀器同測才能達到的測試速度，大幅降低設備投資成本並顯著提升 ATE 測試效率與彈性。

產業應用

射頻前端模組 (RF FEM) 大規模平行量產測試

在現代智慧型手機與高階物聯網裝置中，射頻前端模組 (RF FEM) 的整合度越來越高，單一晶片內往往封裝了多組功率放大器 (PA)、低雜訊放大器 (LNA) 與射頻開關 (RF Switch)，為了在量產階段維持極致的成本效益，ATE 系統必須具備強大的多站點平行測試能力；GT-S MEB 正是為此而生的高整合度訊號擴展模組，藉由其原生支援的多達 8 個射頻連接埠，可輕易地在同一台測試機台上建構高密度的測試治具 (Load Board)；在實際產線應用中，可以同時對多顆 RF FEM DUT (待測物) 進行同步激發與量測，或者對單一具備極多天線埠的複雜 FEM 進行一次性的全面檢測；這種高度平行化的架構，讓測試速度達到以往必須配置多套昂貴向量訊號分析儀才能比擬的境界，此外模組化設計整合了射頻、數位與電源介面，大幅簡化了產線機台的佈線複雜度，讓測試工程師在切換不同測試專案時，能夠以最短的建置時間完成硬體重組，是半導體封測廠追求極致良率與 UPH (Units Per Hour) 的核心利器。

OHM⁺ GT-S MEB 射頻測試架構示意圖：此圖展示了專為射頻前端模組 (RF FEM) 測試打造的高整合度訊號擴展模組，透過波束形成電路 (MEB) 與單一台向量訊號收發機 (VXT) 的極簡配置，系統可支援多個射頻連接埠的同步測試，實現極高的測試速度，從而顯著提升自動化測試設備 (ATE) 的整體測試效率與部署彈性。

次世代 Wi-Fi 7 (802.11be) 晶片設計驗證與量測

隨著 Wi-Fi 7 (802.11be) 標準的問世，極端密集的 4096 QAM 調變技術與更高頻段的應用，對測試設備的線性度與底噪造成前所未有的嚴苛考驗，任何訊號路徑上的微小失真或相位雜訊，都會直接導致量測結果失效；GT-S MEB 具備業界領先的訊號純淨度，專為高階誤差向量幅度 (EVM) 量測而設計；當與向量訊號收發機搭配使用時，在 802.11be 160 MHz (Wi-Fi 7, 4096 QAM) 測試下，可達成低於 -44 dB 的卓越表現；而針對 802.11ax (Wi-Fi 6, 1024 QAM)，其 EVM 表現更優於 -48 dB，確保了極致的量測精度。這使得 GT-S MEB 成為晶片設計中心 (IC Design House) 與先進通訊實驗室不可或缺的驗證設備，測試工程師可以利用 MEB 的超寬頻主動元件 (支援最高 14 GHz)，精確捕捉並分析高頻段載波上的複雜調變波形。透過最少的儀器設備配置，研發團隊得以在產品開發的早期階段，以極高的可信度驗證 Wi-Fi 7 晶片的傳輸品質，確保產品上市前符合最嚴格的國際通訊標準。

Wi-Fi 7 (802.11be) 誤差向量幅度 (EVM) 量測流程圖：訊號產生器將 4096 QAM 高階調變訊號，透過 OHM⁺ GT-S MEB 訊號擴展模組無損傳輸至向量訊號分析儀 (VSA) 的驗證路徑，此協同架構突顯了 MEB 在極度嚴苛的次世代通訊標準下，能完美支援高精準度調變訊號分析與 EVM 量測的強大能力。

寬頻微波主動與被動元件之 S 參數特性分析

在射頻微波工程中，散射參數 (S-parameters) 是描述元件高頻特性的最核心指標，無論是濾波器、耦合器等被動元件，或是放大器等主動元件，都需要精確的 S 參數網路分析來確認其阻抗匹配與傳輸特性；GT-S MEB 本身具備強悍的多項測試能力，在專屬的 S-parameter 測試模式下，其提供的 8 個埠皆可獨立且精準地執行反射損失 (Return Loss) 與穿透損失 (Insertion Loss) 測試；此項應用讓測試工程師不需額外將待測物搬移至專用的昂貴向量網路分析儀 (VNA) 上，即可在同一個 ATE 測試站點內，利用 MEB 內建的主動元件寬頻測試能力 (涵蓋 500 MHz 至 14 GHz 頻率範圍)，一次性完成待測物在極寬頻譜下的網路特性分析，這種一站式的測試流程，完美解決了過去需要頻繁插拔射頻線材、切換測試機台所導致的連接器磨損與校準誤差問題；同時 GT-S MEB 支援高達 +16 dBm 的最大連續輸入功率與 +16 dBm 的輸出功率，確保了在進行大訊號 S 參數測試時，系統擁有足夠的動態範圍與線性度，為高階通訊元件的特性分析提供了堅實的硬體保障。

5G/6G 高階相控陣列 (Phased Array) 模組校準與測試

為達成 5G 毫米波與未來 6G 網路的波束成形 (Beamforming) 需求，相控陣列天線技術已成為射頻產業的顯學，這類模組內部包含大量陣列天線單元，必須進行精密的相位與振幅校準，GT-S MEB 的內部設計正是以相控陣電路 (Phased Array Circuit) 為核心所打造，這使得它在面對相控陣列待測物的測試時具有先天的架構優勢；測試工程師可以充分利用 MEB 多埠同步測試能力，將其多達 8 個射頻連接埠直接對應相控陣列模組的多個天線饋入點，由於 MEB 能夠透過最少的儀器設備配置實現多儀器同測的速度，工程師得以在極短的時間內，快速且自動化地輪詢並量測每一個天線單元的增益、相位差以及功率輸出；其具備高擴充性與高整合度的特質，結合高達 16 dB 的最大輸出增益，能夠輕易補償測試線材與治具帶來的路徑損耗，確保送達待測物端的校準訊號具備極高的純淨度與一致性，是推動高頻相控陣列技術商用量產的絕佳測試平台。

彈性化高階自動化測試設備 (ATE) 系統無縫升級

科技的更迭速度使得測試設備的折舊與汰換壓力與日俱增，對於許多已經投資龐大基礎 ATE 設備的企業而言，全面淘汰舊機台以因應新規格是不切實際的，GT-S MEB 提供了最具成本效益的 ATE 系統升級方案，由於其卓越的模組化設計，MEB 提供了完整的射頻、數位與電源介面，能夠無縫外掛於既有的測試機台上；這表示資深測試工程師可以保留原有的大型核心設備，僅透過加入 GT-S MEB，便能立刻賦予舊系統 8 埠同步測試的強大擴充力 以及高達 14 GHz 的寬頻測試極限，當需要進行複雜的高階通訊分析時，只需將 MEB 搭配標準的向量訊號收發機 (VSA/VSG)，即可讓傳統 ATE 系統瞬間具備執行調變訊號分析與量測的能力；這種將測試資源集中於「高整合度訊號擴展模組」的策略，大幅降低了單一站點的建置成本，同時利用「使用最少儀器配置」的理念，讓企業在面對瞬息萬變的科技挑戰時，能以最靈活、最經濟的姿態完成測試產線的世代交替。

系統規格

應用架構

相控陣列核心架構

GT-S MEB 捨棄了傳統耗損極大的被動式切換開關，採用了相控陣電路 (Phased Array Circuit) 作為系統設計的運算與路由核心，在這個架構下射頻微波訊號在進入擴展模組後，能以極低的延遲與極高的隔離度被精確導引至目標連接埠；相控陣核心的導入，賦予了 MEB 強大的主動訊號調控能力，這正是它為何能夠以單一模組實現多儀器同測速度的關鍵所在，徹底顛覆了傳統訊號分配架構的物理限制。

超寬頻主動元件微波拓樸

為了打破高頻訊號傳輸的衰減魔咒，GT-S MEB 的內部架構深度整合了頂級的高頻主動元件，此微波拓樸架構確保了從極低頻的 500 MHz 一路延伸至高頻微波的 14 GHz 頻段內，訊號都能維持平坦的頻率響應與極致的完整性；主動電路的設計使得系統最大輸出增益可達 16 dB，完美補償了複雜 ATE 系統內部冗長線材與高密度治具所帶來的路徑損耗，確保抵達待測物的射頻能量精準無誤。

八埠平行訊號處理架構

系統架構於硬體前端部署了 8 組真實的射頻連接埠，這並非傳統的功率分配器，而是每個埠皆具備獨立且高度平行處理能力的測試節點，專為多站點 (Multi-site) 同步測試量身打造，透過內部高速數位控制介面，這 8 組連接埠可實現瞬時編程與同步平行觸發；在 S 參數模式下，每個連接埠甚至能自主執行高精度的反射損耗與插入損耗測試，使整體測試吞吐量呈倍數飆升。

高動態範圍高功率射頻鏈路

針對高階射頻前端模組 (FEM) 中功率放大器 (PA) 的測試需求，MEB 構建了一條極具韌性的高動態範圍射頻鏈路，該架構允許高達 +16 dBm 的最大連續輸入功率，且系統具備強大的線性處理能力，其輸出功率 1dB 壓縮點 (P1dB) 來到 +10 dBm，這種高功率架構確保了即使在測試極端強訊號或是大擺幅調變波形時，模組內部也不會產生非線性失真或訊號裁切，保障了測試數據的絕對公信力。

VSA/VSG 無縫協同調變量測架構

GT-S MEB 從架構設計之初，便將與高階儀器的協同運作納入考量；它透過極低相位雜訊的本地振盪路徑與高線性度的升降頻設計，打造出完美的向量訊號擴展層，當與外部的向量訊號收發機 (VSA/VSG) 介接時，MEB 能直接將 VSA/VSG 產生的複雜調變訊號無損地分發至多個 DUT 埠，並將 DUT 的回傳訊號精確導回儀器進行分析，正是由於這種完美的硬體協同架構，MEB 才能在嚴苛的 Wi-Fi 7 (4096 QAM) 測試中，繳出 EVM 低於 -44 dB 的傲人成績。

以簡馭繁 GT-S MEB 助力企業實現產量與成本優化的雙重突破

在射頻通訊技術光速迭代的今日，OHMPLUS GT-S Middle Electronic Box (MEB) 以前瞻性的破壞式創新，重新定義了高階自動化測試設備 (ATE) 的運作典範，它最突出的特色在於，以極具智慧的相控陣核心電路與主動元件設計，完美取代了傳統龐大且昂貴的多儀器堆疊架構，透過「使用最少儀器配置」即能達成「多儀器同測速度」的卓越表現，GT-S MEB 為業界帶來了前所未有的測試效率與空間運用彈性。

其高達 8 埠的同步測試能力與 500 MHz 至 14 GHz 的超寬頻支援，不僅強勢解決了當前 RF FEM 大規模量產中的產量瓶頸，更以其對 802.11be (Wi-Fi 7) 4096 QAM 低於 -44 dB EVM 的精準量測能力，充分證明了其滿足未來尖端科技測試需求的強大底蘊；對於致力於優化產線效能、大幅降低 CAPEX，並企圖在下一波通訊革命中搶佔先機的資深測試工程師與企業而言，GT-S MEB 不僅是一個高度整合的訊號擴展模組，更是驅動射頻測試產業邁向極致高效化、模組化與未來化的終極引擎。

資源下載

OHM⁺ GT-S MEB 射頻前端模組測試設備產品型錄 >